Samsung Electronics a débuté l’échantillonnage d’une carte mémoire microSD référencée XC1 de 256 gigaoctets de capacité avec une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu'à 800 Mo/s grâce à l’utilisation de l’interface SD Express. Parallèlement, la socitéé a commencé à production de sa carte microSD UHS-1 de 1 To de capacité.
- Cartes microSD pour des solutions mémoire requises pour l’informatique mobile et les applications IA embarquées
- Vitesse de lecture 1,4 fois plus rapide que les SSD SATA (jusqu'à 560 Mo/s) et plus de quatre fois plus rapide que les cartes mémoire UHS traditionnelles (jusqu'à 200 Mo/s)
- Conception basse consommation, micrologiciel embarqué optimisé
- Gestion thermique fondée sur la technologie DTG (Dynamic Thermal Guard) qui maintient la température optimale même pendant de longues sessions d'utilisation
- La carte mémoire UHS-1 empile huit couches d’une mémoire V-Nand de 1 Tbit de 8e génération de la société dans un format microSD, réalisant ainsi un boîtier haute capacité qui n'était auparavant possible que dans les SSD
