Fondées sur la dernière norme UFS 5.0 du Jedec - Jedec Solid State Technology, association industrielle centrée sur le développement de normes pour l'industrie de la microélectronique, les mémoires flash embarquées du japonais Kioxia, annoncées cet été, délivrent des performances de lecture séquentielle allant jusqu’à 10 Go/s, ouvrant la voie à l’intégration de l’intelligence artificielle (IA) dans des systèmes contraints.

Ces mémoires s’appuient sur la couche physique M-PHY v6.0 et le protocole UniPro v3.0, normalisée par l’Alliance MIPI, avec notamment la prise en charge du mode HS-Gear6, afin d’offrir une vitesse théorique d’interface pouvant atteindre 46,6 Gigabit/s par voie et des performances effectives de lecture/écriture d’environ 10,8 Go/s en configuration double voie.

Pour rappel, les dernières versions des normes technologiques UniPro 3.0 et M-PHY 6.0, publiées en début d’année 2026, doublent le débit de données et offrent des gains d'efficacité et d'évolutivité pour les applications de stockage mémoire flash et améliorent les performances de la norme UFS. Et ce justement afin de prendre en compte l’IA en périphérie de réseau sur smartphones, tablettes, PC, consoles de jeux, applications automobiles et industrielles.

Dans le détail, la spécification de l'interface de couche physique M-PHY 6.0 met en oeuvre un module haut débit - HS-G6, High-Speed Gear 6 - utilisant le schéma de signalisation PAM4, doublant la bande passante de l'interface pour atteindre un maximum de 46,694 Gigabit/s par voie.

Kixoia note à ce niveau que les charges de travail liées à l’intelligence artificielle migrent de plus en plus vers les appareils, les performances du stockage revêtant dans ce cadre une importance croissante. Les grands modèles de langage (LLM), l’IA multimodale, l’imagerie avancée et l’inférence en temps réel nécessitent désormais des transferts de données nettement plus rapides entre le stockage et le calcul.

Or, selon Kioxia, jusqu’à présent, les performances de lecture de l’UFS constituaient un facteur limitant pour les applications d’IA embarquée réduisant la vitesse d’accès des grands modèles de langage et d’autres charges de travail d’IA aux données.

Avec les mémoires fondées sur l’UFS 5.0, Kioxia estime pourvoir surmonter ces goulots d’étranglement par rapport à l’UFS 4.1. Avec à la clé un chargement plus rapide des applications, une meilleure réactivité et une expérience utilisateur améliorée pour les applications d’IA embarquée.

Concrètement, les mémoires UFS 5.0 de la société associent un contrôleur UFS 5.0 développé en interne à la mémoire flash 3D BiCS FLASH de 8ᵉ génération de Kioxia, procurant ainsi des améliorations significatives en matière de performance, d’efficacité énergétique et de format de boîtier - 7,5 × 13 mm - par rapport à la génération précédente.

Selon la société, ces mémoires sont optimisées non seulement pour les smartphones haut de gamme intégrant des fonctions d’IA embarquée, mais aussi pour des tablettes et systèmes de jeu dotés de capacités d’IA, des appareils de réalité augmentée, des systèmes robotiques, des caméras de sécurité intelligentes et des applications industrielles.

Dès à présent des échantillons commerciaux de ces mémoire son disponibles dans des capacités 512 Go et 1 To, avec une production en série qui devrait débuter d’ici la fin de l’année 2026, indique Kioxia.

A noter que cet été, le sud coréen Samsung a annoncé qui allait lui aussi démarrer d'ici la fin de l'année la production en volume de ses premières mémoires flash au format UFS 5.0, avec des capacités allant jusqu'au téraoctet.

(*) UFS - Universal Flash Storage - désigne une catégorie de mémoire embarquée conçus selon la spécification standard JEDEC UFS. Grâce à son interface série, UFS prend en charge le mode duplex intégral, qui permet la lecture et l’écriture simultanées entre le processeur hôte et le périphérique UFS.