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Qualcomm pousse ses circuits modems LTE à véhiculer un débit de 2 Gbit/s

Publié le 15 février 2018 à 12:22 par Pierrick Arlot        Composant  Qualcomm

Snapdragon X24

Même si Qualcomm a déjà en ligne de mire le marché des communications 5G NR (New Radio) (lire notre article ici), l’Américain continue de mettre la pression sur ses concurrents sur le segment 4G LTE. La société a lancé l’échantillonnage du circuit modem LTE Snapdragon X24, présenté comme le premier du genre à s’aligner sur la spécification LTE Category 20 avec prise en charge d’un débit de 2 Gbit/s dans la voie descendante. Ce serait aussi la première puce gravée en technologie FinFET 7 nm.

Le Snapdragon X24 représente la 8e génération de modems multimodes LTE de Qualcomm et la 3e génération de solutions Gigabit LTE. Il sera au centre d’une démonstration live lors du Mobile World Congress 2018 qui ouvrira ses portes le 26 février prochain à Barcelone. Une démonstration qui réunira également l’opérateur Telstra, l’équipementier Ericsson et le fabricant de routeurs Netgear. Les quatre partenaires ont d’ores et déjà mené des tests en laboratoire démontrant cette capacité à véhiculer un débit de 2 Gbit/s via l’agrégation de cinq porteuses LTE de 20 MHz de bande passante réparties dans trois bandes de fréquence différentes (1, 3 et 7), chaque porteuse mettant en œuvre la technologie multi-antennaire Mimo 4x4 et la modulation 256QAM.

Dans le détail, le circuit modem LTE Snapdragon X24 peut s’accommoder de l’agrégation de 7 porteuses dans la voie descendante et de la technologie Mimo 4x4 sur cinq porteuses agrégées pour un total de vingt flux LTE spatiaux simultanés. La puce de Qualcomm doit être associée avec un émetteur/récepteur radio gravé en technologie FinFET 14 nm ainsi qu’avec le circuit de suivi d’enveloppe (Envelope Tracker) QET5100 de l'Américain.

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