
Collaboration IDT-eSilicon sur les futurs circuits de commutation RapidIO 10xN L’américain IDT annonce un accord de collaboration avec la société de services en conception d’Asic eSilicon afin d’accélérer le développement de circuits de commutation RapidIO de nouvelle génération requis par ...un certain nombre de futures architectures système dans les domaines du sans fil, de l’embarqué et de l’informatique. Les deux partenaires se focaliseront tout d’abord sur les commutateurs RapidIO aptes à fonctionner à un débit de 40 Gbit/s par port conformément à la spécification RapidIO 10xN. Conçu pour les interconnexions point-à-point commutées à ultrafaible latence entre circuits, entre cartes au travers d’un fond de panier, ou entre châssis de systèmes multiprocesseurs, le standard RapidIO dans sa version Serial a trouvé sa place sur les marchés de l’aéronautique, de la Défense, des imageurs, des infrastructures de réseaux mobiles, de la vidéo professionnelle et des serveurs pour l’informatique en nuage. La spécification RapidIO 10xN, qui s’appuie sur un débit de 10 Gbit/s pour un lien Serial RapidIO (contre 6,25 Gbit/s pour la version Gen2), a vocation à répondre aux besoins accrus en performances exprimés par ces divers secteurs applicatifs. « L’expertise d’eSilicon dans les procédés de gravure 28 nm pour les liens SerDes à haut débit et les mémoires spécifiques est un complément idéal du savoir-faire d’IDT en matière de conceptions RapidIO », a indiqué Jack Harding, CEO d’eSilicon. Les futurs commutateurs RapidIO 10xN combineront un temps de latence de 100 ns, une bande passante de 40 Gbit/s par port et la possibilité de monter à 4 milliards de nœuds sur un même réseau… Les premiers circuits issus de la collaboration entre IDT et eSilicon seront disponibles dans le courant du second semestre 2015. Ils cibleront en priorité les stations de base LTE-Advanced (LTE-A), C-RAN et 5G mais trouveront aussi des débouchés dans les architectures émergentes qui associent en un même lieu stations de base et plates-formes de calcul à hautes performances (HPC). Les circuits de commutation RapidIO à 20 Gbit/s par port d’IDT seraient actuellement utilisés pour interconnecter DSP, microprocesseurs et Asic dans la plupart des stations de base 3G et 4G déployées dans le monde.

Collaboration IDT-eSilicon sur les futurs circuits de commutation RapidIO 10xN

L’américain IDT annonce un accord de collaboration avec la société de services en conception d’Asic eSilicon afin d’accélérer le développement de circuits de commutation RapidIO de nouvelle génération requis par ...un certain nombre de futures architectures système dans les domaines du sans fil, de l’embarqué et de l’informatique. Les deux partenaires se focaliseront tout d’abord sur les commutateurs RapidIO aptes à fonctionner à un débit de 40 Gbit/s par port conformément à la spécification RapidIO 10xN.

Conçu pour les interconnexions point-à-point commutées à ultrafaible latence entre circuits, entre cartes au travers d’un fond de panier, ou entre châssis de systèmes multiprocesseurs, le standard RapidIO dans sa version Serial a trouvé sa place sur les marchés de l’aéronautique, de la Défense, des imageurs, des infrastructures de réseaux mobiles, de la vidéo professionnelle et des serveurs pour l’informatique en nuage. La spécification RapidIO 10xN, qui s’appuie sur un débit de 10 Gbit/s pour un lien Serial RapidIO (contre 6,25 Gbit/s pour la version Gen2), a vocation à répondre aux besoins accrus en performances exprimés par ces divers secteurs applicatifs.

« L’expertise d’eSilicon dans les procédés de gravure 28 nm pour les liens SerDes à haut débit et les mémoires spécifiques est un complément idéal du savoir-faire d’IDT en matière de conceptions RapidIO », a indiqué Jack Harding, CEO d’eSilicon. Les futurs commutateurs RapidIO 10xN combineront un temps de latence de 100 ns, une bande passante de 40 Gbit/s par port et la possibilité de monter à 4 milliards de nœuds sur un même réseau…

Les premiers circuits issus de la collaboration entre IDT et eSilicon seront disponibles dans le courant du second semestre 2015. Ils cibleront en priorité les stations de base LTE-Advanced (LTE-A), C-RAN et 5G mais trouveront aussi des débouchés dans les architectures émergentes qui associent en un même lieu stations de base et plates-formes de calcul à hautes performances (HPC). Les circuits de commutation RapidIO à 20 Gbit/s par port d’IDT seraient actuellement utilisés pour interconnecter DSP, microprocesseurs et Asic dans la plupart des stations de base 3G et 4G déployées dans le monde.