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VeriSilicon réduit la consommation, l'empreinte silicium et le coût des IP Bluetooth 5.0

Publié le 06 novembre 2018 à 11:34 par Pierrick Arlot        Composant  VeriSilicon

VeriSilicon

La firme chinoise VeriSilicon, qui commercialise auprès des fabricants de semi-conducteurs, des ODM et des équipementiers toute une gamme de blocs d’IP audio, vidéo et radio et d’éléments d’IHM multimodes, annonce une IP Bluetooth 5.0 pour le procédé de gravure silicium-sur-isolant FD-SOI 22 nm 22FDX du fondeur GlobalFoundries. Une caractéristique qui, selon la société asiatique, garantit des améliorations « significatives » en consommation, empreinte silicium et coût par rapport aux offres concurrentes actuelles ciblant le marché des applications IoT et des dispositifs électroniques portés sur soi.

Dans le détail, l’IP RF BLE 5.0 de VeriSilicon intègre un émetteur-récepteur conforme à la spécification BLE 5.0 (Bluetooth Low Energy) et prend en charge la modulation et la démodulation GFSK. Selon l’entreprises chinoise, des mesures sur silicium ont montré que la sensibilité peut être testée jusqu’à -98 dBm avec moins de 7 mW de puissance dissipée dans des conditions typiques. De quoi espérer une autonomie prolongée pour les applications IoT à faible consommation. Par ailleurs, l’émetteur-récepteur RF occupe 40% de surface silicium en moins qu’une mise en œuvre similaire sur un substrat Cmos 55 nm, assure VeriSilicon.

Au-delà de l’émetteur-récepteur RF, l’IP intègre un balun sur puce, un commutateur TX/RX et un circuit oscillateur RC 32K pour réduire la facture matérielle. Par ailleurs, un convertisseur DC/DC à haute efficacité et un régulateur de tension LDO sont également disponibles pour la gestion de l’alimentation. La disponibilité de l’IP Bluetooth 5.0 de VeriSilicon dans le processus de gravure 22FDX de GlobalFoundries permet en outre d’envisager l’intégration optimisée sur une puce-système unique du sous-système RF, de l’émetteur/récepteur, de la bande de base, du processeur et des composants de gestion d’alimentation, ajoute encore la firme asiatique.

« En tirant parti des capacités RF intégrées du procédé FD-SOI, en particulier le 22FDX de GlobalFoundries, notre IP va réduire significativement le coût système et augmenter nettement le rythme de croissance des dispositifs électroniques portés sur soi comme les écouteurs sans fil », soutient Wayne Dai, fondateur, chairman et président de VeriSilicon. On se rappellera que VeriSilicon et GlobalFoundries se sont engagés parallèlement dans une collaboration visant à permettre la mise sur le marché de solutions IoT monopuces pour les réseaux radio longue portée et basse consommation (LPWAN) LTE-M et NB-IoT (lire notre article ici).

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