L'embarqué > Matériel & systèmes > Sous-système > Toshiba dévoile les premières mémoires flash embarquées UFS version 3.0 du marché

Toshiba dévoile les premières mémoires flash embarquées UFS version 3.0 du marché

Publié le 27 février 2019 à 07:35 par Pierrick Arlot        Sous-système Toshiba

Toshiba UFS3

[EMBEDDED WORLD] Alors que l’organisme Jedec a publié la spécification UFS 3.0 (Universal Flash Storage) en janvier 2018, il y a déjà plus d’un an, Toshiba a commencé fin janvier l’échantillonnage des premières mémoires flash embarquées compatibles de l’industrie. Il s’agit en l’occurrence de modèles à 128 Go qui s’appuient sur la mémoire flash 3D BiCS FLASH à 96 couches de la société japonaise et qui ciblent smartphones, tablettes et autres produits d’informatique mobile ainsi que les plates-formes d’info-divertissement et les hubs télématiques embarqués dans les automobiles ainsi que les systèmes de réalité virtuelle ou augmentée. Des variantes de 256 Go et 512 Go devraient arriver sur le marché à partir de la fin mars.

Rappelons que le Jedec a été le premier organisme à adopter le standard UniPro v1.8 de l’alliance Mipi (voir notre article ici), une mise à jour de la couche transport flexible utilisée pour interconnecter processeurs et périphériques au sein de terminaux informatiques, mobiles et embarqués. La spécification UFS 3.0 s’appuie donc en pratique sur la couche transport UniPro v1.8 et la couche physique Mipi M-PHY v4.1 qui permet la transmission de données à un débit de 11,6 Gbit/s par lien.

Dans le détail, les mémoires flash embarquées UFS 3.0 de Toshiba intègrent également un contrôleur dans un boîtier Jedec standard de 11,5 x 13 mm. Le contrôleur assure la correction d’erreur, le nivellement d'usure, la conversion d'adresse logique en adresse physique et la gestion des blocs défectueux. Selon Toshiba, les trois modèles (128 Go, 256 Go et 512 Go) sont compatibles avec le standard UFS 3.0, y compris avec le mode HS-Gear4, dont la vitesse théorique peut atteindre 11,6 Gbit/s par voie (soit 23,2 Gbit/s en duplex intégral sur deux voies pour une lecture et une écriture en simultané). Dans la pratique, les vitesses de lecture et d'écriture séquentielles de la variante 512 Go sont supérieures de 70% et de 80% respectivement, par rapport aux modèles Toshiba 256 Go de génération précédente.

Des échantillons de ces mémoires flash UFS 3.0 sont visibles sur le stand Toshiba pendant Embedded World.

Sur le même sujet